JAV milžinė „Qualcomm“ patvirtino ankstyvą „Snapdragon 8 Elite 2“ mikroschemų rinkinio pristatymo

JAV bendrovės atstovai savo naująjį šedevrą nusprendė pavadinti ne „Snapdragon 8 Gen 4“, o „Qualcomm Snapdragon 8 Elite“. Verta pastebėti, jog naujasis „Qualcomm“ lusto pavadinimas dera prie „Snapdragon X Elite“ lustų, kurie yra skirti nešiojamiems kompiuteriams.

Vos tik įvykus „Snapdragon 8 Elite“ mikroschemų rinkinio debiutui – prasidėjo ir išmaniųjų telefonų pristatymai. O dabar aiškėja, jog „Qualcomm“ jau ruošia ir atnaujintą šio lusto versiją. Pats gamintojas patvirtino ir ankstyvą jo išleidimą.

„Computex 2025“ renginio metu buvo patvirtinta, jog „Snapdragon Summit“ konferencija bus surengta rugsėjo 23 – 25 dienomis. Būtent tuomet tikimasi ir naujojo „Snapdragon 8 Elite 2“ mikroschemų rinkinio debiuto.

Naujasis „Snapdragon 8 Elite 2“ turėtų naudoti antros kartos „Oryon“ branduolius, kurie pasižymi maždaug 25 proc. didesniu našumu. Tikimasi, kad čia bus naudojama 2 + 6 branduolių konfigūracija, kas reiškia, jog čia bus du pagrindiniai branduoliai ir šeši našumo branduoliai.

Pranešama, jog „Qualcomm“ ketina padidinti vaizdo plokštės spartinančiąją atmintinę nuo 12 MB iki 16 MB. Vien dėl šio pakeitimo ankstyvuosiuose bandymuose našumas pagerėjo maždaug 30 proc., lyginant su dabartiniu „Snapdragon 8 Elite“ variantu. 

Didelį našumo šuolį rodo ir „AnTuTu“ sintetinių testų rezultatai. Teigiama, kad naujasis „Snapdragon 8 Elite 2“ čia renka daugiau nei 3,8 mln. taškų, kas yra 30 proc. daugiau nei „Snapdragon 8 Elite“ variantas.

Tikimasi, kad naujasis „Qualcomm“ mikroschemų rinkinys palaikys LPDDR5X, ir LPDDR6 atmintį. Be to, jis palaikys SME1 ir SVE2 instrukcijų rinkinius, o tai reiškia, kad bus sukurtas naudojant naujausią ARM v9 architektūrą.

„Qualcomm Snapdragon 8 Elite 2“ lustas turėtų būti pagamintas naudojant TSMC 3 nm N3P technologinį procesą. Ši technologija turėtų pagerinti našumą ir energijos vartojimo efektyvumą, lyginant su „Apple“ A19 lustais, kurie, kaip spėjama, taip pat naudos šį mazgą.